厦门分公司武汉国家存储器基地项目创优工作硕果累累

发布时间:2019-12-02    信息来源:超级管理员

  11月27日,继国家存储器基地项目A标段之后,上海宝冶承建的国家存储器一期D标段工程再度荣获“2018~2019年度第三批湖北省建筑结构优质工程”及“武汉市建筑结构优质工程”称号。

  国家存储器基地项目位于武汉市光谷未来科技城内,项目总用地面积约114万㎡,项目北侧为三湖街路,南侧为科技五路,西侧为未来二路,东侧为未来三路。D标ADB研发楼建筑面积为109582.105㎡,建筑高度36.2m,占地面积12905.4㎡,地上6层,地下2层。

  湖北省建筑结构优质工程作为湖北省建筑行业结构工程质量的最高荣誉奖,获奖项目必须具备质量过硬的实体、配置齐全的体系、整理完善的档案,经过层层申报、踏勘、评审、公示的繁杂程序方能在成百上千的项目中脱颖而出。

国家存储器基地项目部受公司委派,扎根武汉辛勤耕耘已有三年。三年时间里,广大员工牢记使命、栉风沐雨、挥汗拼搏,用激情挥洒这篇炙热的土地,用真情打动合作的伙伴;三年里项目

  此次获奖代表着该项目工程建筑水平得到了湖北省安协会和武汉建协会的认可,施工质量安全得到了参建各界高度肯定,对公司市场的发展有重要意义。

(信息来源:厦门分公司 王晓添)